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国产三代半导体材料新突破 中科院成功制备 8 英寸碳化硅晶体

碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,在功率半导体等领域具有巨大应用潜力,但长期以来面临大尺寸晶体制备的工艺难题,碳化硅单晶衬底在器件成本中占比也高达近 50%。近期,中科院物理研究所科研人员通过优化
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2022-05-06 Tags: 半导体晶体